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J-GLOBAL ID：200903094450934836

薄膜エレクトロルミネセンス素子の製造方法

Inventor： 河島 朋之 ,  谷口 春隆 ,  加藤 久人 ,  柴田 一喜
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992093192
Publication number (International publication number)：1993290970
Application date： Apr. 14, 1992
Publication date： Nov. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】透明電極を形成した絶縁基板上に、透明電極を露出させて第一絶縁膜、発光層、第二絶縁膜を積層し、かつ第二絶縁膜が発光層を覆うようにする成膜工程におけるマスク交換のために真空槽を開く回数を減少させる。【構成】真空槽内を搬送する基板上に間隔を介してマスクを近接させ、マスクより遠い側にあるターゲツトを用いてスパッタリングすることにより、裏面電極のための成膜を含めて少なくとも二つの成膜工程を同一真空槽内で連続して行う。また、第一絶縁膜と発光層を同一面積にすれば、基板取付けマスクを用いるときにも同一マスクによる連続成膜が可能になる。

Claim (excerpt)：

絶縁基板上に複数の平行条状の透明電極を介して少なくとも第一絶縁膜、発光層、第二絶縁膜が順次積層され、さらにその上に透明電極と直交する方向に走る複数の平行条状の裏面電極が設けられ、透明電極の端部が露出して端子部を成す薄膜エレクトロルミネセンス素子の製造方法において、第一絶縁膜、発光層、第二絶縁膜のいずれかを、真空槽内を透明電極と直交する方向に移動する基板の表面に間隔を介して近接して透明電極端子部を遮蔽するマスクと、そのマスクより遠い側に配置された成膜材料源とを用いて選択的に成膜する工程を含むことを特徴とする薄膜エレクトロルミネセンス素子の製造方法。

IPC (3)：

H05B 33/10 ,  G09F 9/30 365 ,  H05B 33/26

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭63-181296
  
• 特開平1-112691
  
• 特開昭60-068590
  
• 特開昭64-035892