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J-GLOBAL ID：200903094454651790

半導体装置

Inventor： 西川 円 ,  村井 成行
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 福島 祥人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997275962
Publication number (International publication number)：1999121468
Application date： Oct. 08, 1997
Publication date： Apr. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】 製造歩留りを低下させることなく、かつ微細化を妨げることなく、電極間の短絡が防止された半導体装置を提供する。【解決手段】 半絶縁性GaAs基板1上にゲート電極8が形成される。ゲート電極8は複数のゲート電極部8aと、ゲート電極部8aの一端を接続するゲート基部8cとを有する櫛歯状に形成されている。ソース電極部5aの両側に配置されるゲート電極部8aのそれぞれの折曲部8bは、互いに接続されることなく、かつ交差するようにソース電極部5a側に折曲される。折曲部8bの下方の半絶縁性GaAs基板1中には空乏層が形成され、ソース電極部5aとドレイン引き出し電極部6bとの間の短絡電流の通過を妨げる。

Claim (excerpt)：

ゲート基部から櫛歯状に延設された複数のゲート電極部を有するゲート電極を備えた半導体装置において、隣接する各一対の前記ゲート電極部の先端が内側に折曲されたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/41

FI (2)：

H01L 29/80 L ,  H01L 29/44 F