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J-GLOBAL ID：200903094461751075

窒化物系化合物半導体装置

Inventor： 寺口 信明 ,  名西 ▲やす▼之 ,  鈴木 彰
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社 ,  学校法人立命館
Agent (1)： 青山 葆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999341825
Publication number (International publication number)：2001160656
Application date： Dec. 01, 1999
Publication date： Jun. 12, 2001
Summary：

【要約】【課題】 キャリア散乱を抑えて電気的特性を改善することができる窒化物系化合物半導体装置を提供する。【解決手段】 ウルツ鉱構造の結晶をもつGaNを基板材料1に選び、そのa面(1,1,-2,0)を基板表面1aとしてこの表面上に窒化物系半導体層2,3,4,5を積層し、電流経路であるソース-ドレインの方向を積層される窒化物半導体層を構成する結晶のc軸方向と平行にする。

Claim (excerpt)：

窒化物系化合物半導体を用いた窒化物系化合物半導体装置であって、ウルツ鉱構造の結晶をもつ材料の(1,1,-2,0)面(a面)または(1,-1,0,0)面(m面)を基板として用い、かつ電流を流す方向がc軸方向と平行になっていることを特徴とする窒化物系化合物半導体装置。

IPC (4)：

H01S 5/323 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 33/00

FI (3)：

H01S 5/323 ,  H01L 33/00 C ,  H01L 29/80 B

F-Term (20)：

5F041AA21 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA41 ,  5F073CB02 ,  5F073CB04 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ04 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR01