Pat
J-GLOBAL ID：200903094464666443
イオンビームデポジシヨン装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
飯阪 泰雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991308487
Publication number (International publication number)：1993121195
Application date： Oct. 28, 1991
Publication date： May. 18, 1993
Summary：
【要約】[目的] 減速系内で発生するスパッタ粒子及び高速中性粒子をトラップし、高品質な薄膜を作成する。[構成] イオンビームデポジション装置の減速系2は円筒形状をしており、図に示されるようにイオンビーム搬送部11の出口11aには、各減速電極18、19、20が絶縁物12を介在させて取り付けられており、各減速電極18、19、20の内周壁にはフィン14が設けられている。各段の減速電極18、19、20に印加電圧が加えられるとイオンビームは減速される。このとき、イオンビームが各減速電極18、19、20に当たっても、スパッタ粒子及び高速中性素子をフィン14によりトラップして、ターゲット15上に入射するのを防止することができる。
Claim (excerpt)：
イオン源と、質量分離器と、減速電極と、該減速電極に近接して対向配設したターゲットとから成るイオンビームデポジション装置において、前記減速電極の内周壁部にフィンを設けたことを特徴とするイオンビームデポジション装置。
IPC (2)：
Return to Previous Page
