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J-GLOBAL ID：200903094473674890
熱処理装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
,
Agent (1)：
小原 肇
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993220622
Publication number (International publication number)：1994112147
Application date： Aug. 12, 1993
Publication date： Apr. 22, 1994
Summary：
【要約】【目的】 複数枚の半導体ウエハを収納した処理用容器内において各半導体ウエハの収納位置に殆ど左右されることなく、しかも排出ガスの排気圧の影響を受けることなく処理用ガスを半導体ウエハ全体に速やかに行き渡らせて熱処理部での水蒸気濃度を均一化して全ての半導体ウエハを短時間で且つ均一に熱処理する熱処理装置を提供する。【構成】 本熱処理装置は、処理用容器3の頂部からその内部下方に向けて水蒸気を導入してここに収納された熱処理用ボート4で支持する複数枚の半導体ウエハWを同時に熱処理する際に、頂部と熱処理用ボート4上端の間に水蒸気の通過する30個の流通孔8Aを有するガス分散板8を設け、30個の流通孔8Aを主として半導体ウエハWの外周と処理用容器3の内面の間で且つその周方向に均等に分散配置し、流通孔8Aからの水蒸気の噴出速度が17m/分以上になるようにしたものである。
Claim (excerpt)：
処理用容器内に保持具で複数同軸的に支持された被処理体を収納し、この処理用容器の頂部から下方に向けて処理用ガスを導入して上記被処理体を熱処理する熱処理装置において、上記頂部と上記保持具上端の間に上記処理用ガスの通過する複数の流通孔を有するガス分散板を設け且つその下方に熱処理部を画成すると共に、上記複数の流通孔を主として上記保持具で保持された被処理体の外周と上記処理用容器の内面の間の空隙部で且つその周方向に均等に分散配置し、上記流通孔からの処理用ガスの噴出速度が17m/分以上になるようにしたことを特徴とする熱処理装置。
IPC (3)：
H01L 21/22
, H01L 21/205
, H01L 21/31
