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J-GLOBAL ID：200903094477647960

固体撮像装置の製造方法

Inventor： 栗山 俊寛
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991263528
Publication number (International publication number)：1993102457
Application date： Oct. 11, 1991
Publication date： Apr. 23, 1993
Summary：

【要約】【目的】 暗出力の低減、読みだし電圧の安定化および低電圧化を実現できる固体撮像装置の製造方法を提供する。【構成】 P型シリコン基板1に、光電変換素子を構成するN型不純物領域2とN型埋め込みチャネル領域3および絶縁膜4を介して設けた読みだし電極5からなる転送素子を形成した後、絶縁膜6を形成し、読みだし電極5の側壁にサイドウォール7を形成する工程と、読みだし電極5およびサイドウォール7をマスクとしてイオン注入しN型不純物領域2の表面にP+型不純物領域8を形成する工程とを有する。

Claim (excerpt)：

一導電型の半導体基板の上に光電変換素子を構成する逆導電型の第1の不純物領域を選択的に形成する工程と、前記半導体基板の上に前記光電変換素子からの信号電荷を転送する転送素子を構成する逆導電型の埋め込みチャネル領域を形成する工程と、前記光電変換素子からの信号電荷を読みだし転送する読みだし電極を前記埋め込みチャネル領域の上を含んで絶縁膜を介して形成する工程と、前記読みだし電極の上を含んで半導体基板の上に絶縁性の第1の膜と前記第1の膜とは異なる第2の膜とを形成する工程と、前記第2の膜を選択的に除去して前記読みだし電極の側壁に第2の膜からなるサイドウォールを形成する工程と、前記読みだし電極とその側壁のサイドウォールによる自己整合により前記第1の不純物領域の表面に一導電型の第2の不純物領域を形成する工程とを有する固体撮像装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 27/148 ,  H01L 21/265

FI (2)：

H01L 27/14 B ,  H01L 21/265 S