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J-GLOBAL ID：200903094504417662

半導体保護素子

Inventor： 寺井 弘治
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992154878
Publication number (International publication number)：1993347382
Application date： Jun. 15, 1992
Publication date： Dec. 27, 1993
Summary：

【要約】【目的】短冊状のパターンを有する拡散層により構成される半導体保護素子の保護能力を高める。【構成】短冊状の拡散層1のコンタクトホール3とコーナー部4との間隔をコンタクトホール3と拡散層1の長辺部5との間隔よりも大きくすることにより、サージ電流がコーナー部4に集中して流れることを防止し、半導体保護素子の静電破壊耐圧を高める。

Claim (excerpt)：

短冊状のパターンを有する拡散層と、前記拡散層上に設けてコンタクトホールを介し前記拡散層と電気的に接続する配線とを有する半導体保護素子において、前記コンタクトホールと前記拡散層のコーナー部との間隔が前記コンタクトホールと前記拡散層の長辺部との間隔よりも十分長い距離を有することを特徴とする半導体保護素子。

IPC (2)：

H01L 27/04 ,  H01L 23/60

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平1-304763
  
• 特開平3-257959
  
• 特開昭61-110455
  
• 特開昭62-165362