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J-GLOBAL ID：200903094508849362
半導体装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996166212
Publication number (International publication number)：1998012722
Application date： Jun. 26, 1996
Publication date： Jan. 16, 1998
Summary：
【要約】【課題】 エアブリッジの製造が簡単で、かつエアブリッジの第2層配線と,第1層配線とがショートを起こさないような構造を備えた半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】 本発明の半導体装置は、半導体基板上に形成された第1層配線3と、該第1層配線3をまたいで形成された第2層配線(上層)1とを有するエアブリッジ構造を備え、上記第2層配線1は、2000オングストローム以上の厚みを有する金属層からなる補強層(下層)2が形成されたものである。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に形成された第1層配線と、該第1層配線をまたいで形成された第2層配線とを有するエアブリッジ構造を備え、上記第2層配線には、2000オングストローム以上の厚みを有する金属層からなる補強層が形成されてなることを特徴とする半導体装置。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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