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J-GLOBAL ID：200903094513781741

薄膜作成装置

Inventor： 日比野 幸信 ,  松浦 正道
Applicant, Patent owner： 日本真空技術株式会社
Agent (1)： 飯阪 泰雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993093737
Publication number (International publication number)：1994280030
Application date： Mar. 29, 1993
Publication date： Oct. 04, 1994
Summary：

【要約】[目的] 高周波電源を用いた容量結合型の薄膜作成装置の真空容器内で高品質で、大面積の薄膜を形成すること。[構成] 真空容器内31に一対の電極であるカソード電極32及びアノード電極33を配設する。又、カソード電極32は高周波電源35と接続され、直流電源41を重畳する。

Claim (excerpt)：

真空容器内にカソード電極とアノード電極を対向して設置し、電極間に高周波電圧を印加する容量結合型の薄膜作成装置において、前記カソード電極に負の直流電圧を重畳して印加させることを特徴とする薄膜作成装置。

IPC (3)：

C23C 16/50 ,  C23C 16/26 ,  C30B 29/04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭62-145811
  
• 特開平2-276241
  
• 特開平2-182880