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J-GLOBAL ID：200903094514358648

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 奥野 八重 ,  魚見 和久 ,  河野 敏弘
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993219530
Publication number (International publication number)：1995074066
Application date： Sep. 03, 1993
Publication date： Mar. 17, 1995
Summary：

【要約】【構成】半導体基板1と、これと格子定数の異なる半導体基板3を直接接着するに際し、これら二種の基板の間に転位低減領域5,6a,7,6b,8,9を形成する。或いはさらに緩和層10xを形成する。【効果】作製プロセス中の高温過程又はデバイスの高温動作等の下でのデバイス構造中の転位伝播を防止できる。

Claim (excerpt)：

第一の半導体基板と、第二の半導体基板とを接着してなる半導体装置において、前記第一の半導体基板と前記第二の半導体基板との間に転位低減領域が配設されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/02 ,  H01L 27/12