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J-GLOBAL ID：200903094538815047

SIMOX基板及びその製造方法

Inventor： 豊川 文敏
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 内原 晋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991238513
Publication number (International publication number)：1993082525
Application date： Sep. 19, 1991
Publication date： Apr. 02, 1993
Summary：

【要約】【目的】ゲッタリング技術の適用可能なSIMOX基板の構造を実現する。【構成】部分的に埋め込み酸化膜3が形成されない領域を有し、且つ、基板バルク5もしくは基板1裏面は何らかのゲッタリング手段が付与された構造を有するSIMOX基板である。シリコン単結晶基板1の表面にシリコン酸化膜マスク7を部分的に配して酸素イオンを注入し、高温熱処理を行った後、基板裏面にレーザ照射を行って結晶欠陥もしくは結晶歪6を導入しゲッタリングサイトを設ける。

Claim (excerpt)：

シリコン単結晶基板に対する酸素のイオン注入と高温熱処理とにより形成された埋め込みシリコン酸化膜上にシリコン単結晶層を有するSIMOX基板において、前記埋め込みシリコン酸化膜が部分的に形成されない領域を有し、シリコン単結晶基板バルクもしくはシリコン単結晶基板裏面に、結晶欠陥もしくは結晶歪によるゲッタリング手段が付与された構造を有することを特徴とするSIMOX基板。

IPC (5)：

H01L 21/322 ,  H01L 21/208 ,  H01L 21/324 ,  H01L 21/76 ,  H01L 27/12