p型窒化ガリウム系化合物半導体用オーミック電極及びそれを用いた発光素子並びにその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鳥居洋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997038699
Publication number (International publication number)：1998242517
Application date： Feb. 24, 1997
Publication date： Sep. 11, 1998
Summary：

【要約】【課題】この発明は、600°C以上の熱処理を施して導電性が損なわれないp型窒化ガリウム系化合物半導体層用オーミック電極を提供すると共に、量産性の優れた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を提供することをその目的とする。【解決手段】この発明は、サファイア基板1上にn型窒化ガリウム系化合物半導体層2と、p型窒化ガリウム系化合物半導体層3とが積層され、発光観測面側となるp型窒化ガリウム化合物半導体層3表面のほぼ全面に透光性電極4が設けられた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子であって、透光性電極4が、半導体層3上に被着されたオーミック層と、このオーミック層上の全面に連続的に設けられ、且つオーミック層よりも高い導電性を有する第1の導電層と、この第1の導電層との間でオーミック層との濡れ性の良い固有性金属を形成する第2の導電層と、で形成されている。

Claim (excerpt)：

p型窒化ガリウム系化合物半導体層表面に設けられるオーミック電極が、前記半導体層上に被着されたオーミック層と、このオーミック層上の全面に連続的に設けられ、且つこのオーミック層よりも高い導電性を有する導電層と、からなることを特徴とするp型窒化ガリウム系化合物半導体用オーミック電極。

FI (2)：

H01L 33/00 E , H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

3族窒化物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-100155 Applicant：豊田合成株式会社
半導体発光素子の製法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-187341 Applicant：ローム株式会社
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその電極形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-124890 Applicant：日亜化学工業株式会社

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