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J-GLOBAL ID：200903094541136592

3C-SiC半導体又はGaN半導体と、その製造方法

Inventor：
阿部 芳久

About 阿部 芳久

, 
鈴木 俊一

About 鈴木 俊一

, 
中西 秀夫

About 中西 秀夫


Applicant, Patent owner：
東芝セラミックス株式会社

About 東芝セラミックス株式会社


Agent (1)： 田辺 徹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002192877
Publication number (International publication number)：2004039766
Application date： Jul. 02, 2002
Publication date： Feb. 05, 2004
Summary：
【課題】基板の荒れを回避できる3C-SiC又はGaNの半導体と、その製造方法を提供することである。【解決手段】基板となるSi上に3C-SiC又はGaNをエピタキシャル成長させるときに、有機金属原料により多層(2層)のエピタキシャル成長膜を形成する。つまり、SiC又はGaNのエピタキシャル成長膜をバッファー層と本体層で形成する。バッファー層を比較的低い温度でかつ遅い速度でエピタキシャル成長させて形成する。SiCの場合、500〜900°Cの温度でかつ0.1〜1μm/hの速度でバッファー層をエピタキシャル成長させる。バッファー層の上に本体層を1000〜1300°Cの温度でかつ1〜15μm/hの速度でエピタキシャル成長させる。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
Si基板上に3C-SiC又はGaNをエピタキシャル成長させる際、エピタキシャル成長の温度と速度の両方または一方を変化させることにより、まずSiC又はGaNのバッファー層をエピタキシャル成長させ、次に、SiC又はGaNの本体層をエピタキシャル成長させることを特徴とする3C-SiC半導体又はGaN半導体の製造方法。
IPC (5)：
H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C23C16/42 ,  C30B29/36 ,  C30B29/38
FI (5)：
H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C23C16/42 ,  C30B29/36 A ,  C30B29/38 D
F-Term (48)：
4G077AA03 ,  4G077BE08 ,  4G077BE15 ,  4G077DB06 ,  4G077DB08 ,  4G077EA02 ,  4G077EE03 ,  4G077EF03 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077TA04 ,  4G077TB01 ,  4G077TB05 ,  4G077TC13 ,  4G077TK01 ,  4K030AA06 ,  4K030AA11 ,  4K030BA08 ,  4K030BA37 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030DA03 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030JA10 ,  4K030JA12 ,  4K030LA12 ,  4K030LA14 ,  5F045AA03 ,  5F045AB06 ,  5F045AB14 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AF03 ,  5F045BB12 ,  5F045CB02 ,  5F045DA53
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (1)
Article cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (1)

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