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J-GLOBAL ID：200903094544228498

半導体装置

Inventor： ▲高▼橋 進
Applicant, Patent owner： 山形日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992042642
Publication number (International publication number)：1993243437
Application date： Feb. 28, 1992
Publication date： Sep. 21, 1993
Summary：

【要約】【目的】 放熱効果の大きい小型化された半導体装置を実現する。【構成】 ペルチェ効果を有する2種類の金属(1)2および金属(2)3を、金属接合4を介して接合し、これらの金属(1)2および金属(2)3を接合して形成される接合金属板上に半導体チップ1を搭載して、金属接合4に電流を通電する。この通電によるペルチェ効果の吸熱作用により金属(1)2の温度が低下し、半導体チップ1の温度上昇が有効に抑制される。

Claim (excerpt)：

ペルチェ効果を有する2種類の金属を接合して形成される接合金属板上に半導体チップを搭載し、前記2種類の金属間に電流を通電してペルチェ効果を生じるように構成することを特徴とする半導体装置。