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J-GLOBAL ID：200903094545787750

窒化インジウムガリウム半導体およびその成長方法

Inventor： 中村 修二 ,  向井 孝志
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993106556
Publication number (International publication number)：1994209121
Application date： May. 07, 1993
Publication date： Jul. 26, 1994
Summary：

【要約】【目的】 高品質で結晶性に優れたInGaNおよびその成長方法を提供する。【構成】 有機金属気相成長法により窒化インジウムガリウム半導体を成長させる方法であって、原料ガスとしてガリウム源のガスと、インジウム源のガスと、窒素源のガスと、p型不純物を含むガスとを用い、600°Cより高い成長温度で、窒化ガリウム層の上に、p型不純物をドープした一般式In<SB>X</SB>Ga<SB>1-X</SB>N(但しXは0<X<0.5)で表される窒化インジウムガリウム半導体を成長させる。

Claim (excerpt)：

窒化ガリウム層の上に、一般式In<SB>X</SB>Ga<SB>1-X</SB>N(但しXは0<X<0.5)で表される窒化インジウムガリウム半導体が形成されており、さらに前記窒化インジウムガリウム半導体にはp型不純物がドープされていることを特徴とする窒化インジウムガリウム半導体。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平3-218625
  
• 特開平3-218625
  
• 特開平2-229475
  
• 特開平4-068579