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J-GLOBAL ID:200903094546714896
薄膜トランジスタ基板およびその製造方法、液晶表示パネルならびに液晶表示装置
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
中村 純之助
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993008314
Publication number (International publication number):1994222386
Application date: Jan. 21, 1993
Publication date: Aug. 12, 1994
Summary:
【要約】【目的】 製造コストを安価にする。【構成】 ゲート端子GTMをアルミニウム膜g、アルミニウム膜g上に形成されたパラジウム膜PDF、パラジウム膜PDF上に形成された透明導電膜d1で構成する。
Claim (excerpt):
端子が走査信号線を構成するアルミニウム膜、上記アルミニウム膜上に形成されたパラジウム膜および上記パラジウム膜上に形成されかつ画素電極を構成する透明導電膜から構成されたことを特徴とする薄膜トランジスタ基板。
IPC (4):
G02F 1/136 500
, H01L 29/40
, H01L 21/336
, H01L 29/784
FI (2):
H01L 29/78 311 P
, H01L 29/78 311 A
Patent cited by the Patent: