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J-GLOBAL ID：200903094557293833

半導体装置の製造方法

Inventor： 松橋 秀明
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 鈴木 敏明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992138449
Publication number (International publication number)：1993335562
Application date： May. 29, 1992
Publication date： Dec. 17, 1993
Summary：

【要約】【目的】 ゲート電極をタングステン膜で形成したMOS型FETを有する半導体装置の製造方法に関するもので、パンチスルーの起こりにくい半導体装置を提供することを目的とする。【構成】 ゲート電極としてのタングステン膜15を形成した後、アンモニア雰囲気中で熱処理する。この方法によりゲートシリコン酸化膜13と前記タングステン膜15との間に、窒化タングステン膜16ができ、タングステンの仕事関数をシリコンのmid-gap電圧と等しくすることができ、パンチスルーが起こりにくくなる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に、MOS型FETのゲート電極となるタングステン膜を形成した後、アンモニア(NH3 )雰囲気中で熱処理することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 29/784 ,  H01L 29/62 ,  H01L 21/336

FI (2)：

H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 301 P