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J-GLOBAL ID:200903094557293833

半導体装置の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 鈴木 敏明
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992138449
Publication number (International publication number):1993335562
Application date: May. 29, 1992
Publication date: Dec. 17, 1993
Summary:
【要約】【目的】 ゲート電極をタングステン膜で形成したMOS型FETを有する半導体装置の製造方法に関するもので、パンチスルーの起こりにくい半導体装置を提供することを目的とする。【構成】 ゲート電極としてのタングステン膜15を形成した後、アンモニア雰囲気中で熱処理する。この方法によりゲートシリコン酸化膜13と前記タングステン膜15との間に、窒化タングステン膜16ができ、タングステンの仕事関数をシリコンのmid-gap電圧と等しくすることができ、パンチスルーが起こりにくくなる。
Claim (excerpt):
半導体基板上に、MOS型FETのゲート電極となるタングステン膜を形成した後、アンモニア(NH3 )雰囲気中で熱処理することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3):
H01L 29/784 ,  H01L 29/62 ,  H01L 21/336
FI (2):
H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 301 P

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