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J-GLOBAL ID：200903094569604478

熱処理前のクリーニング法

Inventor： ラリー・ダブリュー・シャイブ ,  サイード・ピローズ
Applicant, Patent owner： エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド
Agent (1)： 青山 葆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995217273
Publication number (International publication number)：1996078377
Application date： Aug. 25, 1995
Publication date： Mar. 22, 1996
Summary：

【要約】【課題】 シリコンウエハが二酸化シリコンの親水性表面層を有しており、シリコンウエハの少数キャリア寿命が実質的に減少しないシリコンウエハのクリーニング方法を提供する。【解決手段】 フッ化水素酸を含有する水溶液とシリコンウエハの表面を接触させ、ウエハ表面から金属を除去する工程、フッ化水素酸で処理したウエハをオゾン化水と接触させ、シリコンウエハの表面上に親水性酸化物層を成長させる工程、オゾン化水処理ウエハを少なくとも約300°Cの温度に少なくとも約1秒の時間にわたって加熱する工程を有してなるシリコンウエハのクリーニング方法。

Claim (excerpt)：

シリコンウエハを加熱処理する方法であって、フッ化水素酸を含有する水溶液とシリコンウエハの表面を接触させ、ウエハ表面から金属を除去し、フッ化水素酸で処理したウエハをオゾン化水と接触させ、シリコンウエハの表面上に親水性酸化物層を成長させ、オゾン化水処理ウエハを少なくとも約300°Cの温度に少なくとも約1秒の時間にわたって加熱し、加熱の初期におけるシリコンウエハ表面の鉄、クロム、カルシウム、チタン、コバルト、マンガン、亜鉛およびバナジウムのそれぞれの濃度が1x109原子/cm2未満であることを特徴とする方法。

IPC (2)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平4-113620
  
• 特開昭62-198127
  
• 特開平4-144131
  
• 特開平3-228328