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J-GLOBAL ID：200903094580680500
プラズマCVD装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
梶山 佶是 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992319415
Publication number (International publication number)：1994151411
Application date： Nov. 04, 1992
Publication date： May. 31, 1994
Summary：
【要約】【構成】 接地基板電極を構成するアルミ製均熱板を上面に有し、このアルミ製均熱板を加熱するためのヒータを有するサセプタと、このサセプタ上の接地基板電極に対峙するアルミニウム製有孔板からなる高周波電極とを有するチャンバーを有するプラズマCVD装置において、前記アルミニウム製有孔板に隣接して、多数の貫通孔を有するガス分散板を設けたことを特徴とするプラズマCVD装置。【効果】 ガス分散板が挿入されたことによりガス溜りが2箇所になり、ガスの分散性が向上する。その結果、生成条件が変動してもウエハ上面へのガス供給は常に均一に保たれ、生成されるCVD膜の膜質および膜厚が均一となり、デバイスの製造歩留りが向上する。
Claim (excerpt)：
接地基板電極を構成するアルミ製均熱板を上面に有し、このアルミ製均熱板を加熱するためのヒータを有するサセプタと、このサセプタ上の接地基板電極に対峙するアルミニウム製有孔板からなる高周波電極とを有するチャンバーを有するプラズマCVD装置において、前記アルミニウム製有孔板に隣接して、多数の貫通孔を有するガス分散板を設けたことを特徴とするプラズマCVD装置。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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