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J-GLOBAL ID：200903094581747560

半導体レーザ素子およびその製造方法

Inventor： 佐々木 光夫
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 篠部 正治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997058086
Publication number (International publication number)：1998256647
Application date： Mar. 12, 1997
Publication date： Sep. 25, 1998
Summary：

【要約】【課題】電流-光出力特性および電圧-電流特性が優れ、また可干渉性の小さい半導体レーザ素子およびその歩留りの高い製造方法を提供する。【解決手段】第1導電型のGaAs基板1上に、第1導電型のAlx Ga1-x Asの組成のバッファ層2、第1導電型のAlx Ga1-x As組成の第1クラッド層3、Aly Ga1-y As組成の活性層4、第2導電型のAlx Ga1-x As組成の第2クラッド層5、第2導電型のGaAsのキャップ層6、第1導電型の2つの区域に分割されている電流狭窄層7、第2導電型のAlx Ga1-x Asの組成の第3クラッド層8、第2導電型のGaAsのコンタクト層9が順に積層されているAlGaAs系半導体レーザ素子において、前記第1または第2クラッド層のうち導電型がp型であるクラッド層5はドーパントが異なる複数の内層(5c、5b、5a)からなり、前記各内層のドーパントの拡散係数は前記活性層から遠ざかるに従って順に大きくなっている。

Claim (excerpt)：

第1導電型のGaAs基板の一主面上に、第1導電型のAlx Ga1-xAs(0≦x≦1)の組成のバッファ層、第1導電型のAlx Ga1-x As(0≦x≦1)組成の第1クラッド層、Aly Ga1-y As(0≦y≦x≦1)組成の活性層、第2導電型のAlx Ga1-x As組成の第2クラッド層、第2導電型のGaAsのキャップ層、第1導電型でレーザ光軸と平行に2つの区域に分割されている電流狭窄層、第2導電型のAlx Ga1-x Asの組成の第3クラッド層、第2導電型のGaAsのコンタクト層が順に積層されているAlGaAs系半導体レーザ素子において、前記第1または第2クラッド層のうち導電型がp型であるクラッド層はドーパントが異なる複数の内層からなり、前記各内層のドーパントの拡散係数は前記活性層から遠ざかるに従って順に大きくなっていることを特徴とする半導体レーザ素子。