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J-GLOBAL ID：200903094597427913

金属カルコゲナイド化合物超格子の製造方法

Inventor： 松井 正宏 ,  南方 尚 ,  渡辺 隆行
Applicant, Patent owner： 旭化成工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993275572
Publication number (International publication number)：1995133200
Application date： Nov. 04, 1993
Publication date： May. 23, 1995
Summary：

【要約】【構成】 カルコゲナイドイオンと金属イオンを含有する組成の異なる溶液から、基板表面に膜厚3Å以上500Å以下の金属カルコゲナイド化合物薄膜形成を逐次行うことにより、2種類以上の化合物薄膜の積層体を作製することを特徴とする金属カルコゲナイド化合物超格子の製造方法である。【効果】 本発明の製造方法は、簡便な方法で真空装置を用いることなく超格子構造の薄膜を形成できる。また、比較的低温で、大面積の積層膜形成が可能である。

Claim (excerpt)：

カルコゲナイドイオンと金属イオンを含有する組成の異なる2種以上の溶液から、基板表面に2種以上の膜厚3Å以上500Å以下の金属カルコゲナイド化合物薄膜の形成を順次行って、金属カルコゲナイド化合物積層体を作製することを特徴とする金属カルコゲナイド化合物超格子の製造方法。

IPC (4)：

C30B 29/68 ,  H01L 31/04 ,  H01L 31/0248 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01L 31/04 E ,  H01L 31/08 K