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J-GLOBAL ID：200903094605506399

導電膜パターン形成方法、及び導電膜パターン

Inventor： 古沢 昌宏
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 稲葉 良幸 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000035722
Publication number (International publication number)：2001230527
Application date： Feb. 14, 2000
Publication date： Aug. 24, 2001
Summary：

【要約】【課題】 ポリシラン材料を用いて、簡単で安価に導電膜パターンを形成する。【解決手段】 基板上にインクジェット装置を用いてポリシラン溶液を所定のパターンに吐出し、ポリシラン薄膜パターンを形成する工程と、形成されたポリシラン薄膜パターン上に貴金属の微粒子を析出させる工程と、析出された貴金属の微粒子を触媒として無電解メッキにより金属膜パターンを形成する工程とを備える。インクジェット装置を用いて薄膜形成とパターンニングを同時に行うため、簡単かつ安価に導電膜パターンを形成できる。更にポリシロキサンとして除去される部分が生じないため、ポリシランの使用量を削減することができる。

Claim (excerpt)：

基板上にインクジェット装置を用いてポリシラン溶液を所定のパターンに吐出し、ポリシラン薄膜パターンを形成する工程と、形成されたポリシラン薄膜パターン上に貴金属の微粒子を析出させる工程と、析出された貴金属の微粒子を触媒として無電解メッキにより金属膜パターンを形成する工程とを備えることを特徴とする導電膜パターン形成方法。

IPC (2)：

H05K 3/18 ,  C23C 18/18

FI (2)：

H05K 3/18 B ,  C23C 18/18

F-Term (26)：

4K022AA13 ,  4K022AA42 ,  4K022BA06 ,  4K022BA08 ,  4K022BA14 ,  4K022BA18 ,  4K022BA35 ,  4K022CA06 ,  4K022CA08 ,  4K022CA20 ,  4K022CA21 ,  4K022DA01 ,  5E343AA26 ,  5E343AA38 ,  5E343BB05 ,  5E343BB23 ,  5E343BB24 ,  5E343BB44 ,  5E343BB45 ,  5E343BB48 ,  5E343BB49 ,  5E343CC01 ,  5E343CC72 ,  5E343DD12 ,  5E343DD33 ,  5E343GG11