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J-GLOBAL ID：200903094620121134
磁気式センサ
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
大場 充
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994247395
Publication number (International publication number)：1996116108
Application date： Oct. 13, 1994
Publication date： May. 07, 1996
Summary：
【要約】【目的】 強磁性体薄膜を用いた磁気式センサにおいて、検出部と端子部との接続部分の抵抗、即ち配線抵抗を減少させ、△R/Rの向上を図る。【構成】 配線部としてNi-B合金膜を無電界メッキ法で形成させる。この場合、0.5〜1μm厚が最適範囲である。
Claim (excerpt)：
非磁性基板上に磁気抵抗効果を示すところパ-マロイ等の強磁性体薄膜を形成し、検出部と端子部の間を配線部で接続し、さらに無機保護膜及び有機保護膜で被った4層構造の磁気式センサにおいて、配線部を無電界メッキ法で形成したことを特徴とする磁気式センサ。
IPC (2)：
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