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J-GLOBAL ID：200903094637992465

半導体光素子

Inventor： 福島 淳
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 岩佐 義幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991248160
Publication number (International publication number)：1993090329
Application date： Sep. 27, 1991
Publication date： Apr. 09, 1993
Summary：

【要約】【目的】 フリップチップ実装する半導体光素子において、セルフアラインの位置精度を向上させる。【構成】 半導体発光素子において、フリップチップ実装用Auバンプ3,4を凹状に形成する。これにより、融着面積が大きくなり位置精度が向上する。

Claim (excerpt)：

サブマウントのAuSnもしくはPbSnのバンプ上にフリップチップ実装された半導体光素子であって、素子のバンプ電極が凹状になっていることを特徴とする半導体光素子。

IPC (4)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 31/10 ,  H01L 33/00 ,  H01L 29/90

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭62-279645
  
• 特開昭55-140280