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J-GLOBAL ID:200903094639939251

単層カーボンナノチューブの製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 西澤 利夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998225470
Publication number (International publication number):2000063112
Application date: Jul. 25, 1998
Publication date: Feb. 29, 2000
Summary:
【要約】【課題】 簡便な手段で、経済的に、均質な単層カーボンナノチューブを室温で効率的に製造する。【解決手段】 不活性ガス雰囲気中において、少量の金属を混入した炭素ターゲット物質に対して高出力CO2 ガスレーザ光を照射して炭素レーザ蒸発を行う。
Claim (excerpt):
不活性ガス雰囲気中に、少量の金属を混入した炭素ターゲット物質に対して高出力CO2 ガスレーザ光を照射して炭素レーザ蒸発を行うことを特徴とする単層カーボンナノチューブの製造方法。
IPC (2):
C01B 31/02 101 ,  D01F 9/127
FI (2):
C01B 31/02 101 F ,  D01F 9/127
F-Term (12):
4G046CA00 ,  4G046CC06 ,  4G046CC09 ,  4L037CS03 ,  4L037FA02 ,  4L037FA03 ,  4L037FA04 ,  4L037FA05 ,  4L037PA01 ,  4L037PA17 ,  4L037PA28 ,  4L037UA20
Article cited by the Patent:
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