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J-GLOBAL ID：200903094640413620

面発光半導体レーザ

Inventor： 田所 貴志 ,  近藤 康洋
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 光石 俊郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993169923
Publication number (International publication number)：1995030187
Application date： Jul. 09, 1993
Publication date： Jan. 31, 1995
Summary：

【要約】【目的】 光通信に適した1.3μm帯あるいは1.5μm帯に発振波長を持つ面発光半導体レーザを提供する。【構成】 この面発光半導体レーザは、n型GaAs基板1上に、反射鏡2であるn型AlAs(0.130μm)とn型GaAs(0.108μm)とを25対積層し、次いで発光層3である単結晶(Ge2)b(GaAs)1-bを0.44μm成長し、反射鏡4であるp型AlAs(0.130μm)とp型GaAs(0.108μm)とを25対積層し、次いでGaAs基板1の裏面を研磨した後、Au、Ge、Niを使いオーミック電極6を形成し、次に、反射鏡4の最終成長層のGaAs層上にリフトオフによりCr、Auのオーミック電極5を形成し、その後、H2SO4:H2O2:H2O=4:1:1の混合液を用い、円柱状または四角柱状にエッチングしてなる。

Claim (excerpt)：

基板と直交する垂直方向に光を出射させる面発光半導体レーザにおいて、上記基板としてGaAsを使用し、反射鏡としてx値の異なる数種のAlxGa1-xAs半導体の多層膜、あるいは、y値の異なる数種の(AlyGa1-y)0.51In0.49P半導体の多層膜、または上記半導体の組み合わせからなる半導体多層膜を使用し、且つ活性層にはInaGa1-aAs半導体、または、(Ge2)b(GaAs)1-b半導体を使用することを特徴とする面発光半導体レーザ。