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J-GLOBAL ID：200903094644640523

フォトレジスト現像廃液の処理方法

Inventor： 菅原 広 ,  逸見 ひろみ
Applicant, Patent owner： オルガノ株式会社
Agent (1)： 三浦 進二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998265581
Publication number (International publication number)：2000093955
Application date： Sep. 21, 1998
Publication date： Apr. 04, 2000
Summary：

【要約】【課題】 フォトレジスト及び水酸化テトラアルキルアンモニウム(TAAH)を主として含む現像廃液の従来の再生処理方法では充分に除去できなかったFe、Al等の一部の微量不純物を簡単で安価な方法で除去することのできるフオトレジスト現像廃液の処理方法を提供する。【解決手段】 フォトレジスト現像廃液の再生処理過程において、フォトレジスト及びTAAHを主として含むフォトレジスト現像廃液又は該フォトレジスト現像廃液に由来するTAAH含有溶液をキレート樹脂と接触処理する工程を含めることにより、Fe、Al等の一部の微量不純物を簡単で安価に且つ効果的に除去する。例えば、NF膜(ナノフィルトレーション膜)分離処理、電気透析及び/又は電解、イオン交換処理等の精製処理工程とキレート樹脂との接触処理工程とを組み合わせれば、高純度に精製されたTAAH水溶液を電子部品製造工程等用の再生アルカリ現像液として得ることができる。

Claim (excerpt)：

フォトレジスト現像廃液の再生処理過程において、フォトレジスト及び水酸化テトラアルキルアンモニウムを主として含むフォトレジスト現像廃液又は該フォトレジスト現像廃液に由来する水酸化テトラアルキルアンモニウム含有溶液をキレート樹脂と接触処理する工程を含むことを特徴とするフォトレジスト現像廃液の処理方法。

IPC (7)：

C02F 1/42 ZAB ,  B01J 39/04 ,  B01J 41/04 ,  B01J 45/00 ,  C02F 1/44 ,  C02F 1/469 ,  G03F 7/26

FI (7)：

C02F 1/42 ZAB F ,  B01J 39/04 G ,  B01J 41/04 G ,  B01J 45/00 J ,  C02F 1/44 K ,  G03F 7/26 ,  C02F 1/46 103

F-Term (41)：

2H096AA25 ,  2H096AA27 ,  2H096GA09 ,  2H096LA25 ,  4D006GA02 ,  4D006GA17 ,  4D006KA02 ,  4D006KB14 ,  4D006KE15Q ,  4D006KE17R ,  4D006MA03 ,  4D006MA22 ,  4D006MC22 ,  4D006MC23 ,  4D006MC30 ,  4D006PB08 ,  4D006PB27 ,  4D006PC01 ,  4D025AA09 ,  4D025AB09 ,  4D025AB18 ,  4D025AB20 ,  4D025AB22 ,  4D025BA09 ,  4D025BA14 ,  4D025BB04 ,  4D025BB07 ,  4D025DA02 ,  4D025DA05 ,  4D061DA08 ,  4D061DB15 ,  4D061DB18 ,  4D061DB19 ,  4D061DC15 ,  4D061DC19 ,  4D061DC22 ,  4D061EA09 ,  4D061EB13 ,  4D061FA09 ,  4D061FA11 ,  4D061FA13