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J-GLOBAL ID：200903094651556945

データキャリアの集積回路

Inventor： 花岡 忠史
Applicant, Patent owner： シチズン時計株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992251997
Publication number (International publication number)：1994085184
Application date： Aug. 28, 1992
Publication date： Mar. 25, 1994
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、データキャリア用集積回路の中に電源整流用のダイオードや信号検波用のダイオードを搭載することを実現する。【構成】 集積回路上に電気的に独立したPウェルまたはNウェルを設け、該ウェル上にNまたはPチャンネルのMOSトランジスタを形成し、該トランジスタのゲートとドレインを接続して第一の電極とし、ソースを第二の電極とした等価ダイオードを構成する。【効果】 データキャリアの部品数を減らすことができた。

Claim (excerpt)：

N型半導体の表面上に形成されたC-MOS構造の集積回路において、前記N型半導体の表面上に独立して設けられたPウェルと、該Pウェル上に形成されたエンハンスメント型のNチャンネルMOSトランジスタを有し、前記Pウェルをフローティング状態にしたまま、前記NチャンネルMOSトランジスタのドレインとゲートとを接続して等価的アノードとなし、前記NチャンネルMOSトランジスタのソースを等価的カソードとなした等価ダイオードを具備したことを特徴とするデータキャリアの集積回路。