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J-GLOBAL ID：200903094651804442

ホトマスク及びそれを用いたパターン形成方法

Inventor： 神保 秀之 ,  山下 吉雄
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 清水 守 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992088317
Publication number (International publication number)：1993197128
Application date： Mar. 13, 1992
Publication date： Aug. 06, 1993
Summary：

【要約】【目的】 位相シフタのエッジ部の転写をなくし、しかもクロムパターンと1種のシフタで構成される製作の容易なコストの安いホトマスクを得る。【構成】 一定のピッチを有するライン・アンド・スペースパターン用位相シフトマスクにおいて、スペースの幅S2 に比して広く形成される幅L2 を有するクロムパターン(ライン)32と、前記スペースに形成される位相シフタ33とを設けるようにしたものである。

Claim (excerpt)：

一定のピッチを有するライン・アンド・スペースパターン用位相シフトマスクにおいて、(a)スペースの幅に比して広く形成される幅を有するラインと、(b)前記スペースに形成される位相シフタとを具備するホトマスク。

IPC (2)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027

FI (2)：

H01L 21/30 301 P ,  H01L 21/30 311 W