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J-GLOBAL ID：200903094652639569

半導体集積回路装置

Inventor： 冨田 寛 ,  青木 正身
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 木村 高久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993182911
Publication number (International publication number)：1995037892
Application date： Jul. 23, 1993
Publication date： Feb. 07, 1995
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、高温短時間、低温短時間の熱処理でも十分に汚染物質を除去することができるようにし、信頼性の高い半導体装置を提供する。【構成】 本発明では、半導体基板1表面に形成された素子分離絶縁膜4と、この素子分離絶縁膜4で囲まれた素子領域とから構成され、前記素子分離絶縁膜4を貫通して前記半導体基板1に到達するように形成され、内部に基板内不純物収集効率の高い物質23を充填してなる溝22を具備したことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

半導体基板表面に形成された素子分離絶縁膜と、この素子分離絶縁膜で囲まれた素子領域とから構成され、前記素子分離絶縁膜を貫通して前記半導体基板に到達するように形成され、内部に金属不純物収集物質が充填されてなる溝を具備したことを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (2)：

H01L 21/322 ,  H01L 21/76