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J-GLOBAL ID:200903094663199641

磁気抵抗素子

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 須田 正義
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1991186807
Publication number (International publication number):1994244477
Application date: Jul. 01, 1991
Publication date: Sep. 02, 1994
Summary:
【要約】【目的】 室温における抵抗変化率(ΔR/R)が2%以上であって弱磁場における感度が良好で、安定して使用可能な磁場範囲を有効磁場範囲の2倍以上にする。またその動作点を偏倚させる必要がなく、構造が簡単で小型化し得る。【構成】 第1強磁性薄膜11と第2強磁性薄膜12とを薄い絶縁層を含む非磁性膜13を挟んで接合し、これにより生じる強磁性トンネル接合を利用した磁気抵抗素子10に関し、強磁性薄膜11,12はそれぞれの磁化容易軸M1,M2が互いに直交するように配置して設けられ、第1強磁性薄膜の磁化容易軸方向の保磁力が第2強磁性薄膜の磁化容易軸方向の保磁力より2倍以上大きいことを特徴とする。第1強磁性薄膜は保磁力が大きなCo元素を主成分とし、第2強磁性薄膜は電子と磁気モーメントとの相互作用が大きなFe,Ni,Co元素のうち少なくとも2種以上含む。
Claim (excerpt):
第1強磁性薄膜(11)と第2強磁性薄膜(12)とを薄い絶縁層を含む非磁性膜(13)を挟んで接合し、これにより生じる強磁性トンネル接合を利用した磁気抵抗素子(10)において、前記第1及び第2強磁性薄膜(11,12)はそれぞれの磁化容易軸(M1,M2)が互いに直交するように配置して設けられ、前記第1強磁性薄膜(11)の磁化容易軸方向の保磁力が前記第2強磁性薄膜(12)の磁化容易軸方向の保磁力より2倍以上大きいことを特徴とする磁気抵抗素子。
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
  • 特開平4-049607

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