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J-GLOBAL ID：200903094663199641

磁気抵抗素子

Inventor： 宮崎 照宣 ,  越村 正己
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアル株式会社
Agent (1)： 須田 正義
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991186807
Publication number (International publication number)：1994244477
Application date： Jul. 01, 1991
Publication date： Sep. 02, 1994
Summary：

【要約】【目的】 室温における抵抗変化率(ΔR/R)が2%以上であって弱磁場における感度が良好で、安定して使用可能な磁場範囲を有効磁場範囲の2倍以上にする。またその動作点を偏倚させる必要がなく、構造が簡単で小型化し得る。【構成】 第1強磁性薄膜11と第2強磁性薄膜12とを薄い絶縁層を含む非磁性膜13を挟んで接合し、これにより生じる強磁性トンネル接合を利用した磁気抵抗素子10に関し、強磁性薄膜11,12はそれぞれの磁化容易軸M1,M2が互いに直交するように配置して設けられ、第1強磁性薄膜の磁化容易軸方向の保磁力が第2強磁性薄膜の磁化容易軸方向の保磁力より2倍以上大きいことを特徴とする。第1強磁性薄膜は保磁力が大きなCo元素を主成分とし、第2強磁性薄膜は電子と磁気モーメントとの相互作用が大きなFe,Ni,Co元素のうち少なくとも2種以上含む。

Claim (excerpt)：

第1強磁性薄膜(11)と第2強磁性薄膜(12)とを薄い絶縁層を含む非磁性膜(13)を挟んで接合し、これにより生じる強磁性トンネル接合を利用した磁気抵抗素子(10)において、前記第1及び第2強磁性薄膜(11,12)はそれぞれの磁化容易軸(M1,M2)が互いに直交するように配置して設けられ、前記第1強磁性薄膜(11)の磁化容易軸方向の保磁力が前記第2強磁性薄膜(12)の磁化容易軸方向の保磁力より2倍以上大きいことを特徴とする磁気抵抗素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開平4-049607