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J-GLOBAL ID：200903094671136551
半導体装置及びヘテロ接合バイポーラトランジスタ
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (6)：
前田 弘
, 小山 廣毅
, 竹内 宏
, 竹内 祐二
, 今江 克実
, 原田 智雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003309586
Publication number (International publication number)：2005079417
Application date： Sep. 02, 2003
Publication date： Mar. 24, 2005
Summary：
【課題】製造方法が煩雑になるのを回避しつつ、HBTの高周波特性を向上する。【解決手段】npn型のHBTにおいて、エミッタ層4及びコレクタ層6をそれぞれAlGaNにより構成し、ベース層5をGaNにより構成する。エミッタ層4をベース層5の窒素極性面に接合し、コレクタ層6をベース層5のガリウム極性面に接合する。各層に生ずる自発分極及びピエゾ分極により各界面に電荷が発生し、この電荷により、ベース層4には、内部電極が電子を加速するように発生する。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
外部から電子が注入されるように構成されたn型の第1半導体層と、該第1半導体層に注入された電子が注入されるように構成されたp型の第2半導体層と、該第2半導体層を通過した電子が流入するように構成されたn型の第3半導体層とが順に接合された半導体装置であって、
前記第1半導体層には自発分極Psp1が、また前記第2半導体層には自発分極Psp2が、また前記第3半導体層には自発分極Psp3が、それぞれ生じており、
前記第2半導体層は、前記自発分極Psp1及び自発分極Psp2の相互作用により第1半導体層との界面に発生する電荷Q12と、前記自発分極Psp2及び自発分極Psp3の相互作用により第3半導体層との界面に発生する電荷Q23とにより、第1半導体層から第3半導体層へ向けて電子のエネルギーが下がるように内部電界が発生する構成とされている半導体装置。
IPC (2)：
FI (1)：
F-Term (8)：
5F003BA92
, 5F003BB01
, 5F003BC01
, 5F003BE01
, 5F003BF06
, 5F003BG06
, 5F003BM03
, 5F003BN02
