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J-GLOBAL ID：200903094672808600

電子素子及び電子構造形成方法

Inventor： ドナルド ルポ ,  安田 章夫 ,  ガブリエレ ネレス
Applicant, Patent owner： ソニー インターナショナル (ヨーロッパ) ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング
Agent (1)： 小池 晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000038134
Publication number (International publication number)：2000232232
Application date： Feb. 09, 2000
Publication date： Aug. 22, 2000
Summary：

【要約】【課題】 発電効率が高い電子素子及び電子構造形成方法を提供する。【解決手段】 太陽電池は、電極を形成する透明基板1と低い仕事関数の電極3の間にpn接合構造を有する。p型物質は、コラム5をp型表面層7上に形成する円盤状液晶物質である。各コラム5間には、間隙9が設けられている。これらの間隙9及びコラム5と電極3の間の間隙は、アモルファスn型物質で充填されている。透明基板1は、例えばインジウム錫オキサイド、又はフッ素をドープしたインジウム錫オキサイドからなる。

Claim (excerpt)：

異なる電気的性質を有する物質の2つの隣接領域を備えた電子素子において、上記2つの隣接領域のうちの1つの領域は、円盤状液晶物質のカラムナ構造を形成しており、上記カラムナ構造は、上記円盤状液晶物質のコラム間によって規定される間隙を有し、上記間隙は、他方の領域の一部であり、上記円盤状液晶のものとは異なる電気的性質を有する第2の物質を含んでいることを特徴とする電子素子。

IPC (8)：

H01L 31/04 ,  C09K 19/32 ,  G02F 1/13 505 ,  G02F 1/15 ,  H01B 1/12 ,  H01L 33/00 ,  H05B 33/12 ,  H05B 33/14

FI (8)：

H01L 31/04 Z ,  C09K 19/32 ,  G02F 1/13 505 ,  G02F 1/15 ,  H01B 1/12 ,  H01L 33/00 A ,  H05B 33/12 B ,  H05B 33/14 A