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J-GLOBAL ID：200903094680164665

半導体装置

Inventor： 福所 孝
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 志賀 富士弥 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992062725
Publication number (International publication number)：1993267300
Application date： Mar. 19, 1992
Publication date： Oct. 15, 1993
Summary：

【要約】【目的】 高融点金属シリサイド電極表面の熱酸化膜の電気絶縁耐圧を向上する。【構成】 ゲート酸化膜11上に、x=2.0〜2.5のWSi膜(下層)12Aと、x=2.5〜4.0のWSiX膜(上層)12Bを積層して形成し、パターニング後、熱酸化して熱酸化膜14を形成する。上層WSiX膜12BがSi過剰の組成であるため、表面に良好なSiO2絶縁膜が形成でき、電気的絶縁耐圧が向上する。

Claim (excerpt)：

表面に酸化膜が形成された高融点金属シリサイド電極層を有する半導体装置において、前記高融点金属シリサイド電極層の層上部は層下部よりも組成中にシリコン(Si)を多く含むことを特徴とする半導体装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開平2-240338