Pat
J-GLOBAL ID:200903094682375108
薄膜磁気ヘッドの電磁変換特性測定方法及びその装置
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
阿部 美次郎
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001238491
Publication number (International publication number):2003051104
Application date: Aug. 06, 2001
Publication date: Feb. 21, 2003
Summary:
【要約】【課題】バー状またはウエハ状態で、実使用状態に近似させた条件で、電磁変換特性を測定する測定方法及び装置を提供する。【解決手段】磁界発生素子45を取り付けたカンチレバー41を有する原子間力顕微鏡(AFM)4を用い、カンチレバー41の探針44と薄膜磁気ヘッドQの空気ベアリング面13の間の原子間力によって、カンチレバー41に生じる撓みを検知する。この検知信号S1に基づき、カンチレバー41の撓みが原子間力に対応するように、カンチレバー41を制御する。薄膜磁気ヘッドQの読み取り素子により、磁界発生素子45の発生磁界について電磁変換を行い、読み取り素子から供給される電磁変換信号S3より、読み取り特性を測定する。
Claim (excerpt):
薄膜磁気ヘッドの電磁変換特性を測定する方法であって、磁界発生素子を取り付けたカンチレバーを備えた原子間力顕微鏡を用い、前記カンチレバーの探針と前記薄膜磁気ヘッドの空気ベアリング面となる面との間の原子間力によって、前記カンチレバーに生じる撓みを検知し、前記検知した信号に基づき、前記カンチレバーの撓みが前記原子間力に対応するように、前記カンチレバーを制御し、前記薄膜磁気ヘッドの読み取り素子は、前記磁界発生素子の発生磁界について電磁変換を行い、前記読み取り素子から供給される電磁変換信号より、前記薄膜磁気ヘッドの読み取り特性を測定する方法。
IPC (7):
G11B 5/455
, G01N 13/10
, G01N 13/16
, G01N 13/22
, G01R 33/09
, G11B 5/31
, G11B 5/39
FI (8):
G11B 5/455 C
, G01N 13/10 F
, G01N 13/10 G
, G01N 13/16 A
, G01N 13/22 A
, G11B 5/31 M
, G11B 5/39
, G01R 33/06 R
F-Term (9):
2G017AA01
, 2G017AD54
, 2G017AD65
, 2G017CD10
, 5D033CA10
, 5D034BA02
, 5D034BB12
, 5D034DA04
, 5D034DA07
Return to Previous Page