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J-GLOBAL ID：200903094685152312

電子デバイスに使用するための可変抵抗ポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)/ポリ(スチレンスルホネート)

Inventor： チャン チー
Applicant, Patent owner： イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー
Agent (2)： 谷 義一 ,  阿部 和夫
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2006500849
Publication number (International publication number)：2006520994
Application date： Jan. 06, 2004
Publication date： Sep. 14, 2006
Summary：

例えばOLEDなどのエレクトロルミネセンスデバイスに使用するための可変抵抗PEDT/PSSバッファ層が提供される。別の実施形態によって、可変抵抗PEDT/PSSバッファ層を含むOLEDが提供される。さらに別の実施形態によって、キャストする前にPEDT/PSSの水溶液に補助溶剤を添加することによって、水溶液から基板上にキャストされるPEDT/PSS層の導電率を変化させる方法が開発された。

Claim (excerpt)：

水溶液から基板上にキャストされるポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)/ポリ(スチレンスルホネート)層の導電率を変化させる方法であって、有効量の少なくとも1つの補助溶剤を前記水溶液に添加する工程を含むことを特徴とする方法。

IPC (3)：

H01B 13/00 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/10

FI (4)：

H01B13/00 503Z ,  H05B33/14 A ,  H05B33/22 D ,  H05B33/10

F-Term (6)：

3K007AB05 ,  3K007AB08 ,  3K007AB18 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01 ,  5G323AA01