Pat
J-GLOBAL ID：200903094691852431

原子層成長による薄膜形成方法及び薄膜形成装置

Inventor：
伊藤 俊樹

About 伊藤 俊樹

, 
水谷 厚司

About 水谷 厚司

, 
竹中 博

About 竹中 博

, 
寺 亮之介

About 寺 亮之介


Applicant, Patent owner：
株式会社デンソー

About 株式会社デンソー


Agent (1)： 伊藤 洋二 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000032810
Publication number (International publication number)：2001220287
Application date： Feb. 04, 2000
Publication date： Aug. 14, 2001
Summary：
【要約】【課題】 基板が設置された反応室に対して、吸着ガス及び反応ガスの供給、及びパージを交互に行い、吸着ガスと反応ガスとの反応によって原子層成長を行わせることにより、基板の一面上に形成された薄膜において、成膜の際に、膜中に残存する不純物を低減する。【解決手段】 吸着ガス供給工程、第1のパージ工程、反応ガス供給工程、第2のパージ工程を順次繰り返し、吸着ガスと反応ガスとの反応によって原子層成長を行わせることにより、基板の一面上に薄膜を形成する薄膜形成方法において、反応ガス供給工程及び第2のパージ工程のうち少なくとも1つの工程中に、反応室2内の基板8の一面上から、UVランプ10によって照射窓11を通して紫外線照射を行う。
Claim (excerpt)：
基板が設置された反応室内へ前記基板に吸着する吸着ガスを供給する吸着ガス供給工程、前記反応室内の余剰ガスを除去する第1のパージ工程、前記反応室内へ前記吸着ガスと反応する反応ガスを供給する反応ガス供給工程、前記反応室内の余剰ガスを除去する第2のパージ工程を順次繰り返し、前記吸着ガスと前記反応ガスとの反応によって原子層成長を行わせることにより、前記基板の一面上に薄膜を形成する薄膜形成方法において、前記反応ガス供給工程及び前記第2のパージ工程のうち少なくとも1つの工程中に、前記基板の前記一面上から紫外線照射を行うことを特徴とする薄膜形成方法。
IPC (3)：
C30B 25/02 ,  H01L 21/205 ,  C30B 29/20
FI (3)：
C30B 25/02 Z ,  H01L 21/205 ,  C30B 29/20
F-Term (33)：
4G077AA03 ,  4G077BB01 ,  4G077BB07 ,  4G077DB05 ,  4G077DB11 ,  4G077DB25 ,  4G077EG25 ,  4G077EJ04 ,  4G077TB04 ,  4G077TB08 ,  4G077TC14 ,  5F045AA11 ,  5F045AA15 ,  5F045AB10 ,  5F045AB12 ,  5F045AB22 ,  5F045AB31 ,  5F045AB37 ,  5F045AC01 ,  5F045AC03 ,  5F045AC08 ,  5F045AD09 ,  5F045AF07 ,  5F045BB14 ,  5F045EC02 ,  5F045EC03 ,  5F045EC05 ,  5F045EE02 ,  5F045EE12 ,  5F045EE14 ,  5F045EE19 ,  5F045EF18 ,  5F045HA18
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM