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J-GLOBAL ID：200903094697835660

半導体装置

Inventor： 米澤 浩和
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994262337
Publication number (International publication number)：1996125129
Application date： Oct. 26, 1994
Publication date： May. 17, 1996
Summary：

【要約】【目的】 LSIのHC劣化を利用した寿命予測機能を有する半導体装置を提供する。【構成】 信号遅延パス1,2と、比較手段3と、警報信号生成手段4とからなる。遅延の経時変化率の異なる信号遅延パス1,2は寿命予測したいLSIの使用頻度を代表するような信号によって実使用状態でHC劣化され、比較手段3は信号遅延パス1,2の劣化による出力の遅延または位相変化を監視し、その変化量または位相関係があらかじめ設定したしきい値を越えるとき信号を出力する。警報信号生成手段はその出力に応じて警報信号を出力する。その結果、LSIの故障発生前に故障が近いことがわかり事前に対処可能となる。

Claim (excerpt)：

異なる遅延の経時変化率を有する複数の信号遅延パスと、比較手段と、警報信号生成手段とを有し、信号が前記信号遅延パスにそれぞれ入力され、前記信号遅延パスの出力は比較手段にそれぞれ入力され、前記比較手段は前記信号遅延パスの出力の位相関係に応じた比較結果を出力し、前記比較手段の出力は前記警報信号生成手段に入力され、前記警報信号生成手段が前記比較手段の出力に応じた警報信号を出力することを特徴とする半導体装置。

IPC (5)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  G01R 31/26 ,  G01R 31/28 ,  H01L 21/66

FI (2)：

H01L 27/04 F ,  G01R 31/28 V