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J-GLOBAL ID：200903094715816342

複合電極およびその製造方法

Inventor：
上町 裕史

About 上町 裕史

, 
外邨 正

About 外邨 正


Applicant, Patent owner：
松下電器産業株式会社

About 松下電器産業株式会社


Agent (1)： 東島 隆治 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995130062
Publication number (International publication number)：1996329947
Application date： May. 29, 1995
Publication date： Dec. 13, 1996
Summary：
【要約】【目的】 有機ジスルフィド化合物とポリアニリンとを複合化した、大容量で、充放電サイクル劣化の少ない複合電極を提供する。【構成】 有機スルフィド化合物の重合体と、ポリアニリンを含み、ポリアニリンが、Nーメチルー2ーピロリドン溶液の電子吸収スペクトルの340nmにおける吸光度I340に対する640nmにおける吸光度I640の比I640/I340が0.2以下の還元ポリアニリンである複合電極。前記ポリアニリンと有機ジスルフィド化合物の重合体をNーアルキルー2ーピロリドンに溶解した粘性体を支持体に塗布し、乾燥して複合電極を製造する。
Claim (excerpt)：
電解還元により硫黄ー硫黄結合が開裂して硫黄ー金属イオン(プロトンを含む)結合を生成し、電解酸化により硫黄ー金属イオン結合が元の硫黄ー硫黄結合を再生する有機ジスルフィド化合物の重合体と、ポリアニリンを含み、ポリアニリンが、Nーメチルー2ーピロリドン溶液の電子吸収スペクトルの340nmにおける吸光度I340に対する640nmにおける吸光度I640の比I640/I340が0.2以下の還元ポリアニリンであることを特徴とする複合電極。
IPC (4)：
H01M 4/60 ,  G02F 1/155 ,  H01M 4/02 ,  H01M 10/40
FI (4)：
H01M 4/60 ,  G02F 1/155 ,  H01M 4/02 C ,  H01M 10/40 Z
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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