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J-GLOBAL ID：200903094718620325
半導体レーザ素子
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992197278
Publication number (International publication number)：1994045689
Application date： Jul. 23, 1992
Publication date： Feb. 18, 1994
Summary：
【要約】【目的】 高い信頼性を有する高出力半導体レーザを提供する。【構成】 一対のクラッド層11、13に挟まれた活性層内12を有する共振器の、光が出射される端面15に、活性層12よりも禁制帯幅の大きな半導体からなる窓層16が形成されている。その窓層16は、不純物がドーピングされてキャリア濃度が高められている。よって、伝導帯または価電子帯の障壁が高くなり、活性層12から窓層16へのキャリアのリークが抑制されるので、共振器の端面が劣化しにくくなる。
Claim (excerpt)：
一対のクラッド層に挟まれた活性層を有する共振器と、該共振器の活性層内で増幅された光が出射される端面に形成され、該活性層よりも禁制帯幅の大きな半導体からなり、不純物をドーピングしてキャリア濃度が高められた窓層と、を有する半導体レーザ素子。
Patent cited by the Patent：
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