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J-GLOBAL ID：200903094720033461

格子不整合系積層結晶構造およびそれを用いた半導体装置

Inventor： 三島 友義 ,  樋口 克彦 ,  森 光廣 ,  工藤 真 ,  草野 忠四郎
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994172252
Publication number (International publication number)：1996037291
Application date： Jul. 25, 1994
Publication date： Feb. 06, 1996
Summary：

【要約】【目的】 基板結晶上に、厚さ1μm以下の半導体からなるバッファ層を介して、基板結晶とは基板結晶面と平行方向の格子定数(以下、単に格子定数という)が異なる半導体薄膜結晶が積層されており、かつ室温における電子移動度が8500cm2/Vsより大きい格子不整合系積層結晶構造およびそれを用いた半導体装置を提供する。【構成】 バッファ層を積層方向で複数の第1の領域と複数の第2の領域を積層された構成とし、第1の領域の格子定数を積層方向で半導体薄膜結晶に向かって増加させ、第1の領域の厚さを基板結晶との格子不整合に起因する格子歪が緩和する厚さとし、第2の領域を第1の領域の半導体薄膜結晶側の面上にこれに接して形成し、第2の領域の格子定数を積層方向で一定とし、かつバッファ層の格子定数を積層方向で連続させる。

Claim (excerpt)：

基板結晶上に、厚さ1μm以下の半導体からなるバッファ層を介して、上記基板結晶とは上記基板結晶面と平行方向の格子定数が異なる半導体薄膜結晶が積層されている格子不整合系積層結晶構造において、上記バッファ層は上記積層方向で複数の第1の領域と複数の第2の領域が積層されて構成されており、上記第1の領域の上記基板結晶面と平行方向の格子定数は、上記積層方向で上記半導体薄膜結晶に向かって増加しており、上記第1の領域は上記基板結晶との格子不整合に起因する格子歪が緩和する厚さを有しており、上記第2の領域は上記第1の領域の上記半導体薄膜結晶側の面上にこれに接して形成されており、上記第2の領域の上記基板結晶面と平行方向の格子定数は、上記積層方向で一定であり、かつ上記バッファ層の上記基板結晶面と平行方向の格子定数は、上記積層方向で連続していることを特徴とする格子不整合系積層結晶構造。

IPC (4)：

H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/20