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J-GLOBAL ID：200903094722737466

半導体レーザ素子

Inventor： 川中 敏 ,  田中 俊明
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992225619
Publication number (International publication number)：1994077589
Application date： Aug. 25, 1992
Publication date： Mar. 18, 1994
Summary：

【要約】【目的】 光損傷レベルが高く、閾値電流が十分に低い高温高出力動作が可能な半導体レーザ素子を提供する。【構成】 半導体基板上にGaInP/AlGaInP量子井戸構造を活性領域としたダブルヘテロ構造を設けた半導体レーザ素子において、GaInP井戸層に半導体基板と格子不整となる圧縮歪を特定量導入し、かつ所定のストライプ幅をもつ屈折率導波構造を設けたことを特徴とする。【効果】 低閾値で動作し、かつ100°C以上の高温度においても100mW以上の光出力で安定に横基板モードで動作する半導体レーザ素子が得られる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に設けたGaInP単一量子井戸構造もしくはGaInP/AlGaInP多重量子井戸構造からなる活性領域をAlGaInPクラッド層によりはさみ込んだダブルヘテロ構造を有するレーザ素子において、GaInP井戸層のIn組成を半導体基板と格子不整となる組成として井戸層に圧縮歪を導入し、井戸層に加わる歪を井戸層の膜厚に応じて特定量導入して発振波長を所望の値に設定したことを特徴とする半導体レーザ素子。