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J-GLOBAL ID：200903094727697780
不揮発性半導体メモリ装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992320416
Publication number (International publication number)：1994168596
Application date： Nov. 30, 1992
Publication date： Jun. 14, 1994
Summary：
【要約】【目的】NAND型セルを用いた不揮発性メモリ回路の特性向上。【構成】NAND型セルを用いた不揮発性半導体メモリ装置において、ビット線対は、互いに電気的特性がほぼ等しく、かつ互いに、近接並行して配置されており、前記制御ゲートを駆動する制御ゲート線および前記選択ゲートを駆動する選択ゲート線は上記ビット線対と交差し、上記ビット線対上の信号を差動的に検出する手段を設けたことを特徴とする。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に電荷蓄積層と制御ゲートが積層され、電荷蓄積層と基板との間の電荷の授受により書き込みおよび消去を行う書き替え可能なメモリセルが複数個直列接続されてNANDセルを構成してこれらセルがマトリクス配列され、前記NANDセルの一端部のドレインが選択ゲートを介してビット線に接続され、各メモリセルの制御ゲートが制御ゲート線に接続されて構成される不揮発性半導体メモリ装置において、ビット線対は、互いに電気的特性がほぼ等しくかつ互いに近接並行して配置されており、前記制御ゲートを駆動する制御ゲート線および前記選択ゲートを駆動する選択ゲート線は前記ビット線対と交差し、前記ビット線対上の信号を差動的に検出する手段を設けたことを特徴とする不揮発性半導体メモリ装置。
IPC (2)：
FI (2)：
G11C 17/00 309 B
, H01L 27/10 434
