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J-GLOBAL ID：200903094734338532

プラズマCVD装置及びクリーニング方法及び成膜方法

Inventor： 嶋津 正 ,  井上 雅彦 ,  河野 雄一 ,  加福 秀考
Applicant, Patent owner： 三菱重工業株式会社
Agent (1)： 光石 俊郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002023495
Publication number (International publication number)：2003086523
Application date： Jan. 31, 2002
Publication date： Mar. 20, 2003
Summary：

【要約】【課題】 クリーニング処理を短時間で効率よく実施する。【解決手段】 水平方向にエッチングガスを導入してプラズマを発生させて壁面の膜を主に除去する水平導入行程を行う第1ノズル32と、第1ノズル32の下側で上向きに角度を変えてエッチングガスを導入してプラズマを発生させて天井面の膜を主に除去する傾斜導入行程を行う第2ノズル33とによりクリーニングを行い、水平行程と傾斜導入行程を組み合わせて成膜室内に付着・堆積した膜を除去し。膜を除去する部位を合わせ込んでクリーニングを実施する。

Claim (excerpt)：

成膜室にプラズマを発生させてそこで励起・活性化された原子・分子により基板の表面に成膜が施されると共に、所定の周期でエッチングガスノズルからエッチングガスを導入してプラズマを発生させ、装置側に付着・堆積した膜を除去するクリーニング処理を行うプラズマCVD装置において、供給位置・供給角度を変えてエッチングガスを導入する手段を設けたことを特徴とするプラズマCVD装置。

IPC (2)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44

FI (2)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 J

F-Term (21)：

4K030AA03 ,  4K030AA04 ,  4K030AA06 ,  4K030AA14 ,  4K030AA17 ,  4K030BA29 ,  4K030BA44 ,  4K030CA12 ,  4K030DA06 ,  4K030EA06 ,  4K030FA03 ,  5F045AA08 ,  5F045BB08 ,  5F045DP02 ,  5F045DP03 ,  5F045DP04 ,  5F045DQ10 ,  5F045EB06 ,  5F045EE13 ,  5F045EF08 ,  5F045EH02

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 特開平3-203317
  
• 特開昭61-121324
  

Cited by examiner (4)

• 特開平3-203317
  
• 特開昭61-121324
  
• 特開平3-203317
  
• 特開昭61-121324