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J-GLOBAL ID：200903094741253780

集束イオンビーム装置

Inventor： 荒川 史子 ,  土井 紘 ,  儘田 道郎
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 秋田 収喜
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992244337
Publication number (International publication number)：1994096712
Application date： Sep. 14, 1992
Publication date： Apr. 08, 1994
Summary：

【要約】【目的】 FIBにおいて、元素分析及び構造解析を行なう。加工精度を向上する。【構成】 FIBにおいて、実質的に2個以上の2次粒子検出器を設け、2次粒子の放出径路を偏向させる手段を備える。【効果】 2種類以上の元素を検出できる。2次粒子を偏向させることにより、元素の選択性を向上できる。元素分析及び構成解析により、加工精度を向上できる。

Claim (excerpt)：

イオンビームを集束、偏向させて試料表面に照射し、該イオンビームが照射された領域の試料表面をスパッタエッチングする手段と、該スパッタエッチングされた領域から放出される2次粒子を2次粒子検出器で検出する手段とを備えた集束イオンビーム装置において、前記2次粒子検出器を実質的に2個以上設け、かつ、前記2次粒子の放出経路を偏向させる手段を備えたことを特徴とする集束イオンビーム装置。

IPC (6)：

H01J 37/28 ,  H01J 37/244 ,  H01J 37/30 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/302 ,  H01L 21/66