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J-GLOBAL ID：200903094750513468
半導体発光装置及びこれを用いたコンピュータシステム
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997058791
Publication number (International publication number)：1998256665
Application date： Mar. 13, 1997
Publication date： Sep. 25, 1998
Summary：
【要約】【課題】 発光領域の上下にブラッグ反射器を搭載した微小共振器レーザにおいて、従来のGaAsとAlAsからなるブラッグ反射器より、Leakyモードを抑制し且つ大きな自然放出光結合係数を実現すること。【解決手段】 AlAsと格子整合可能で、且つGaAsより屈折率の大きなGaInNAsを用いて、AlAs/GaInNAsブラッグ反射器を微小共振器レーザに採用する。AlAs/GaInNAsのブラッグ反射器はGaAs/AlAsのブラッグ反射器より高い反射率を有するため、微小共振器レーザのLeakyモードは抑制され且つその自然放出光結合係数は向上する。【効果】 微小共振器レーザのしきい値電流の低減、雑音の低減、光ビームの空間的指向性の向上が図れる。
Claim (excerpt)：
GaAs半導体基板上に、AlAsからなる第1半導体層と該第1半導体層よりも屈折率の大きなGaInNAsからなる第2半導体層を周期的に積層して構成された第1半導体領域と、AlAsからなる第3半導体層と該第3半導体層より屈折率の大きなGaInNAsからなる第4半導体層を周期的に積層してなる第2半導体領域と、GaInNAsからなり且つ電子と正孔が発光再結合を生じる第5半導体層とAlAsからなる第6半導体層とで構成される第3半導体領域を有する半導体発光装置において、第3半導体領域の実効的な屈折率の大きさが第2半導体と第4半導体の屈折率に比べて小さく、第3半導体領域が第1半導体領域と第2半導体領域との間に挟まれると共に第3半導体領域に第2半導体層と第4半導体層が接し、且つ第3半導体領域での実効波長をλeffとしたときに第3半導体領域の厚さdが0.49λeff≦d≦0.51λeffとなることを特徴とする本発明の半導体発光装置。
IPC (2)：
FI (2)：
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