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J-GLOBAL ID：200903094751238495

半導体装置の製造方法

Inventor： 江澤 弘和 ,  宮田 雅弘
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 竹村 壽
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993021738
Publication number (International publication number)：1994216258
Application date： Jan. 15, 1993
Publication date： Aug. 05, 1994
Summary：

【要約】【目的】 製造が容易であり、かつ、少ない工程で配線間を接続するための金属柱を形成し、同時に絶縁膜の平坦化を行うことが可能な半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 表面がシリコン熱酸化膜で絶縁されている半導体基板1に所定のパターンを有する下層の配線2をスパッタリングなどで形成する。この下層配線2上に接続電極となる金属柱11をスクリーン印刷により形成する。これを完全に埋めるようにポリイミド絶縁膜3を形成してから、この絶縁膜をエッチバックして金属柱先端を露出させる。その後この先端に接するように絶縁膜3の上に配線4を施してこの両配線を電気的に接続する。

Claim (excerpt)：

複数の半導体チップが搭載される半導体基板又は絶縁基板からなる回路基板に下層の配線を形成する工程と、前記下層の配線の所望の位置に対応した開口を有するスクリーン版を用いて金属ペーストをスクリーン印刷し、印刷された金属ペーストを熱処理による乾燥及び焼成を行って、前記回路基板上の前記下層の配線を含む所定の領域に金属柱を形成する工程と、前記金属柱の先端部が露出するように前記下層の配線と前記金属柱とを被覆する絶縁膜を形成する工程と、前記金属柱の露出した先端部に重なるように前記絶縁膜の上に上層の配線を形成する工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6)：

H01L 21/90 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 23/12 ,  H05K 3/22 ,  H05K 3/40 ,  H05K 3/46

FI (2)：

H01L 21/88 K ,  H01L 23/12 N

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭50-064767
  
• 特開平2-290095
  
• 特開平4-352387
  
• 特開平2-113553