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J-GLOBAL ID：200903094762434342

半導体膜形成方法

Inventor： 三 友 亨
Applicant, Patent owner： 川崎製鉄株式会社
Agent (1)： 渡辺 望稔 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992284350
Publication number (International publication number)：1994132276
Application date： Oct. 22, 1992
Publication date： May. 13, 1994
Summary：

【要約】【目的】アスペクト比の高い表面にも、良好な平坦性を持ちかつ、膜質が良い酸化膜を形成することが可能な半導体膜形成方法の提供。【構成】一般式 (R1 R2 N)n SiH4-n(但し、上式において、R1 、R2 がH-,CH3 -,C2 H5 -,C3 H7 -,C4 H9 -のいずれかであり、そのうち少なくとも一つがH-でない。nは1〜4の整数である)で表わされる有機シラン化合物と酸素を含んだ化合物を加えて原料ガスとして化学気相成長法により酸化珪素膜を形成することを特徴とする半導体膜形成方法。

Claim (excerpt)：

一般式 (R1 R2 N)n SiH4-n(但し、上式において、R1 、R2 がH-,CH3 -,C2 H5 -,C3 H7 -,C4 H9 -のいずれかであり、そのうち少なくとも一つがH-でない。nは1〜4の整数である)で表わされる有機シラン化合物と酸素を含んだ化合物を加えて原料ガスとして化学気相成長法により酸化珪素膜を形成することを特徴とする半導体膜形成方法。

IPC (4)：

H01L 21/312 ,  C30B 29/18 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/90