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J-GLOBAL ID：200903094767412967

炭化珪素半導体装置及びその製造方法

Inventor： 竹内 有一 ,  遠藤 剛
Applicant, Patent owner： 株式会社デンソー
Agent (1)： 伊藤 洋二 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998175050
Publication number (International publication number)：2000012846
Application date： Jun. 22, 1998
Publication date： Jan. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】 層間絶縁膜を通じてゲート電極と他の電極とが短絡することを防止すると共に、コンタクト領域とのコンタクト抵抗を低減できるようにする。【解決手段】 コンタクトホール11aを介して、p型領域6(p型ベース領域3)に接続される電極をAl膜22で構成し、このAl膜22をコンタクトホール11aの側面から離間した位置にのみ形成する。これにより、Alが層間絶縁膜11と反応するのを防止でき、ゲート電極層8とソース電極12が短絡してしまわないようにできる。また、p型領域6と接続される電極をAl膜22で構成することにより、n+ 型ソース領域5に接続されるNi膜23とAl膜22がオーバラップしてもAl膜22とp型領域6とがオーミック接触するようにできる。これにより、コンタクト領域とのコンタクト抵抗を低減できる。

Claim (excerpt)：

炭化珪素からなり、所定位置にコンタクト領域(6)が形成された半導体基板(1)と、前記半導体基板の上にゲート絶縁膜(9)を介して形成されたゲート電極層(10)と、前記ゲート電極層を覆うように形成されていると共に、前記コンタクト領域に連通するコンタクトホール(11a)を備えたシリコン酸化膜よりなる層間絶縁膜(11)と、前記コンタクト領域とオーミック接触となるAlを含む第1の電極層(22)と、を有する炭化珪素半導体装置において、前記第1の電極層は、前記層間絶縁膜から離間した位置にのみ形成されていることを特徴とする炭化珪素半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 29/16

FI (5)：

H01L 29/78 652 L ,  H01L 21/28 301 F ,  H01L 29/16 ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 653 A

F-Term (9)：

4M104AA01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104DD34 ,  4M104EE03 ,  4M104FF22 ,  4M104GG09