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J-GLOBAL ID：200903094767977395

半導体放射線検出素子

Inventor： 佐藤 賢治 ,  佐藤 敏幸
Applicant, Patent owner： 株式会社島津製作所
Agent (1)： 西岡 義明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995234142
Publication number (International publication number)：1997083007
Application date： Sep. 12, 1995
Publication date： Mar. 28, 1997
Summary：

【要約】【課題】製造が容易で、素子表面の保護に優れたパシベーション膜を有し、強度の強いハンダバンプを有した半導体放射線検出素子を提供する。【解決手段】半導体結晶7の一方の面に共通電極6が形成され他方の面に複数個の画素電極5が形成されている。この面を被覆するように有機絶縁膜1が形成され、画素電極5とハンダバンプ3との接合部Aに、エッチングにより開口部が形成される。さらに接合部Aとその周囲部分B上に、ハンダ、有機絶縁膜1および画素電極5の金属すべてに密着性の良い金属膜2を形成し、その金属膜2上にハンダバンプ3を形成する。こうすることで半導体結晶がよく保護されハンダバンプの強度が強い素子を得る。この素子を1次元状もしくは2次元状に多数並べて劣化や画素欠け等のない優れた放射線画像計測装置を実現できる。

Claim (excerpt)：

半導体結晶の相対する2面に形成された電極のうち少なくとも1面の電極は複数個である半導体放射線検出素子において、この複数個の電極が形成された面上に、この複数個の電極の各々の一部分を除いて有機絶縁膜を形成し、この有機絶縁膜が形成されていない各電極の一部分の上にハンダバンプを形成したことを特徴とする半導体放射線検出素子。

IPC (3)：

H01L 31/09 ,  G01T 1/24 ,  H01L 27/14

FI (3)：

H01L 31/00 A ,  G01T 1/24 ,  H01L 27/14 K